พื้นผิว PMN-PT
คำอธิบาย
คริสตัล PMN-PT ขึ้นชื่อในด้านค่าสัมประสิทธิ์การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าเครื่องกลที่สูงมาก ค่าสัมประสิทธิ์เพียโซอิเล็กทริกสูง ความเครียดสูง และการสูญเสียอิเล็กทริกต่ำ
คุณสมบัติ
| องค์ประกอบทางเคมี | ( PbMg 0.33 Nb 0.67)1-x: (PbTiO3)x |
| โครงสร้าง | R3m, สี่เหลี่ยมขนมเปียกปูน |
| ขัดแตะ | a0 ~ 4.024Å |
| จุดหลอมเหลว (℃) | 1280 |
| ความหนาแน่น (กรัม/ซม3) | 8.1 |
| ค่าสัมประสิทธิ์เพียโซอิเล็กทริก d33 | >2000 พิโคซี/นิวตัน |
| การสูญเสียอิเล็กทริก | แทน<0.9 |
| องค์ประกอบ | ใกล้ขอบเขตเฟส morphotropic |
คำจำกัดความของพื้นผิว PMN-PT
สารตั้งต้น PMN-PT หมายถึงฟิล์มบางหรือเวเฟอร์ที่ทำจากวัสดุเพียโซอิเล็กทริก PMN-PTทำหน้าที่เป็นฐานรองรับหรือรากฐานสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์หรือออปโตอิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ
ในบริบทของ PMN-PT วัสดุพิมพ์โดยทั่วไปจะเป็นพื้นผิวแข็งเรียบซึ่งสามารถขยายหรือสะสมชั้นหรือโครงสร้างบางๆ ได้โดยทั่วไปแล้ววัสดุพิมพ์ PMN-PT จะใช้ในการผลิตอุปกรณ์ต่างๆ เช่น เซ็นเซอร์เพียโซอิเล็กทริก แอคทูเอเตอร์ ทรานสดิวเซอร์ และเครื่องเก็บเกี่ยวพลังงาน
วัสดุพิมพ์เหล่านี้เป็นแพลตฟอร์มที่มั่นคงสำหรับการเติบโตหรือการทับถมของชั้นหรือโครงสร้างเพิ่มเติม ทำให้คุณสมบัติเพียโซอิเล็กทริกของ PMN-PT สามารถรวมเข้ากับอุปกรณ์ได้วัสดุที่เป็นแผ่นฟิล์มบางหรือแผ่นเวเฟอร์ของ PMN-PT สามารถสร้างอุปกรณ์ขนาดกะทัดรัดและมีประสิทธิภาพซึ่งได้ประโยชน์จากคุณสมบัติเพียโซอิเล็กทริกที่ยอดเยี่ยมของวัสดุ
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
การจับคู่ขัดแตะสูงหมายถึงการจัดตำแหน่งหรือการจับคู่โครงสร้างขัดแตะระหว่างวัสดุสองชนิดที่แตกต่างกันในบริบทของเซมิคอนดักเตอร์ MCT (ปรอทแคดเมียมเทลลูไรด์) การจับคู่ตาข่ายสูงเป็นที่ต้องการ เนื่องจากช่วยให้สามารถเติบโตของชั้น epitaxial คุณภาพสูงที่ปราศจากข้อบกพร่องได้
MCT เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ผสมที่ใช้กันทั่วไปในเครื่องตรวจจับอินฟราเรดและอุปกรณ์ถ่ายภาพเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์ให้สูงสุด จำเป็นอย่างยิ่งที่จะต้องเพิ่มชั้น epitaxis ของ MCT ที่ตรงกับโครงสร้างขัดแตะของวัสดุซับสเตรตที่อยู่ด้านล่างอย่างใกล้ชิด (โดยทั่วไปคือ CdZnTe หรือ GaAs)
เมื่อบรรลุการจับคู่แลตติซในระดับสูง การจัดตำแหน่งคริสตัลระหว่างชั้นต่างๆ จะได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น และข้อบกพร่องและความเครียดที่ส่วนต่อประสานก็ลดลงสิ่งนี้นำไปสู่คุณภาพผลึกที่ดีขึ้น คุณสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสงที่ดีขึ้น และประสิทธิภาพของอุปกรณ์ที่เพิ่มขึ้น
การจับคู่ตาข่ายสูงเป็นสิ่งสำคัญสำหรับการใช้งานต่างๆ เช่น การถ่ายภาพและการตรวจจับอินฟราเรด ซึ่งแม้แต่ข้อบกพร่องหรือข้อบกพร่องเล็กๆ น้อยๆ ก็สามารถลดประสิทธิภาพของอุปกรณ์ได้ ซึ่งส่งผลต่อปัจจัยต่างๆ เช่น ความไว ความละเอียดเชิงพื้นที่ และอัตราส่วนสัญญาณต่อเสียงรบกวน
