พื้นผิว LSAT
คำอธิบาย
(La, Sr) (Al, Ta) O 3 เป็นคริสตัลเพอร์รอฟสไกต์ที่ไม่ใช่ผลึกที่ค่อนข้างสุก ซึ่งเข้ากันได้ดีกับตัวนำยิ่งยวดที่มีอุณหภูมิสูงและวัสดุออกไซด์หลากหลายชนิดคาดว่าแลนทานัมอะลูมิเนต (LaAlO 3) และสตรอนเซียมไททาเนต (SrO 3) จะถูกแทนที่ด้วยแมกนีโตอิเล็กทริกขนาดยักษ์และอุปกรณ์ตัวนำยิ่งยวดในการใช้งานจริงจำนวนมาก
คุณสมบัติ
| วิธีการเจริญเติบโต | การเติบโตของซีซี |
| ระบบคริสตัล | คิวบิก |
| ค่าคงที่โครงข่ายผลึกศาสตร์ | ก= 3.868 ก |
| ความหนาแน่น (ก./ซม3) | 6.74 |
| จุดหลอมเหลว (℃) | 1840 |
| ความแข็ง (โม) | 6.5 |
| การนำความร้อน | 10x10-6เค |
คำจำกัดความของพื้นผิว LaAlO3
สารตั้งต้น LaAlO3 หมายถึงวัสดุเฉพาะที่ใช้เป็นสารตั้งต้นหรือเป็นฐานในการใช้งานทางวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีสำหรับการปลูกฟิล์มบางจากวัสดุอื่นๆ หลายชนิดประกอบด้วยโครงสร้างผลึกของแลนทานัมอะลูมิเนต (LaAlO3) ซึ่งมักใช้ในด้านการสะสมฟิล์มบาง
สารตั้งต้น LaAlO3 มีคุณสมบัติที่เป็นที่ต้องการสำหรับการปลูกฟิล์มบาง เช่น คุณภาพผลึกสูง โครงตาข่ายที่ไม่เข้ากันกับวัสดุอื่นๆ มากมาย และความสามารถในการสร้างพื้นผิวที่เหมาะสมสำหรับการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิว
Epitaxis เป็นกระบวนการของการปลูกฟิล์มบาง ๆ บนสารตั้งต้น โดยที่อะตอมของฟิล์มอยู่ในแนวเดียวกันกับอะตอมของสารตั้งต้นเพื่อสร้างโครงสร้างที่มีลำดับสูง
สารตั้งต้น LaAlO3 ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในสาขาต่างๆ เช่น อิเล็กทรอนิกส์ ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ และฟิสิกส์โซลิดสเตต ซึ่งฟิล์มบางมีความสำคัญอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานอุปกรณ์ต่างๆคุณสมบัติเฉพาะตัวและความเข้ากันได้กับวัสดุหลายชนิดทำให้เป็นสารตั้งต้นที่สำคัญสำหรับการวิจัยและพัฒนาในสาขาเหล่านี้
คำจำกัดความของตัวนำยิ่งยวดอุณหภูมิสูง
ตัวนำยิ่งยวดอุณหภูมิสูง (HTS) เป็นวัสดุที่มีความนำยิ่งยวดที่อุณหภูมิค่อนข้างสูงเมื่อเปรียบเทียบกับตัวนำยิ่งยวดทั่วไปตัวนำยิ่งยวดแบบทั่วไปต้องการอุณหภูมิที่ต่ำมาก โดยทั่วไปจะต่ำกว่า -200°C (-328°F) เพื่อให้มีความต้านทานไฟฟ้าเป็นศูนย์ในทางตรงกันข้าม วัสดุ HTS สามารถบรรลุความเป็นตัวนำยิ่งยวดที่อุณหภูมิสูงถึง -135°C (-211°F) และสูงกว่า
